хімічне осадження

The mercury selenide (HgSe) films were obtained on glass substrates via the chemical deposition method. The aqueous solutions of mercury(II) nitrate, sodium thiosulfate, sodium selenosulfate and tri-sodium citrate were used. X-ray and elemental analysis of the film sample were made. The effect of initial reagents concentration, synthesis duration and temperature on the mass of HgSe films was investigated and coatings thickness was calculated. The optical and morphological properties of HgSe films were examined. The deposition mechanism is discussed.

The zinc sulfide (ZnS) and zinc selenide (ZnSe) films of belongs to the AIIBVI group of semiconductors type, which are the main part of photosensitive elements of electronic devices. An analytical review of the scientific and technical literature shows that in recent years intensive research has been conducted to replace toxic cadmium-containing films with non-toxic counterparts, while maintaining the effectiveness of photovoltaic elements. The ZnS and ZnSe films are the most promising for this replacement.

Due to its unique optical and electrical properties semiconductor metal - sulfide and   metal – selenide thin films can be used in photovoltaic systems. The largest using acquired CdS films. But due to its toxicity, there is considerable interest in replacing CdS other semiconductor films with similar or even better properties obtained by chemical bath deposition (CBD). One of the promising candidates for replacing cadmium sulfide is chemically deposited film indium sulfide.

Due to its unique optical and electrical properties of chalcogenides of zinc subgroup metals semiconductor thin films can be used in photovoltaic systems. The largest usage is acquired by CdS films. But due to its toxicity, there is considerable interest in replacing CdS with other semiconductor films with similar or even better properties obtained by chemical bath deposition (CBD). One of the candidates for replacing cadmium sulfide is chemically deposited mercury (II) chalcogenides films.

Тонкі плівки гідрарґерум сульфіду (HgS) синтезовано на скляних підкладках з водного розчину, що містив сіль гідрарґеруму, тіокарбамід та тринатрій цитрат. Встановлено, що отримані покриття є однофазними та містять гідрарґерум сульфід у структурі кіновару. Визначено параметри її елементарної комірки (a = 0,41523(4) нм, c = 0,94813(12) нм). Досліджено вплив pH середовища на товщину, оптичні

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти синтезу тонких плівок індій сульфіду методом хімічного осадження. Акцентовано увагу на виборі методу хімічного осадження в зв’язку з його перевагами. Проаналізовано основні умови синтезу плівок (природа і концентрація реагуючих речовин робочого розчину, температура, час осадження, природа підкладки, умови відпалу) та розглянуто їхній вплив на фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості плівок. Підсумовано результати досліджень фізико-хімічних властивостей плівок.

Методом хімічного осадження з ванн (ХОВ) синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості отриманих плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Отримані результати мають добру сходимість з результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки і зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS при різних кількостях комплексоутворювача.

Тонкі плівки цинку селеніду (ZnSe) синтезовано з водного розчину натрію
гідроксиду на скляних підкладках. Методом інверсійної вольтамперометрії встановлено
вплив концентрації вихідної цинк-вмісної солі, комплексуючого реагенту натрію
гідроксиду, іонів Селену та гідразину гідрату на масу Цинку в плівках ZnSe за різної
тривалості і температури осадження. На основі отриманих даних оптимізовано умови
синтезу тонких плівок цинку селеніду. Досліджено структуру, оптичні властивості,