Прогнозування та реалізація термоелементів електрорезистивних та термоелектричних термометрів на основі n-hfnisn

Автори: 
Крайовський В.Я., Ромака В.А.

Встановлено закономірності функцій перетворення електрорезистивних та термоелектричних термоелементів на основі термометричного матеріалу n-HfNiSn зі стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2 ÷ 1600 К. 

1. Ромака В.А., Ромака В.В., Стадник Ю.В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування // 2011. Л., Львівська політехніка. – 488 с. 2. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников // - 1979. - М.: Наука. - 416 с. 3. Larson P., Mahanti S.D. Electronic structure of rare-earth nickel pnictides: Narrow-gap thermoelectric materials // Phys. Rev. B. – 1999. – Vol. 69, № 24. – P. 15660-15667. 4. Алиев Ф.Г., Брандт Н.Б., Козырьков В.В., Мощалков В.В., Сколоздра Р.В., Стаднык Ю.В., Печарский В.К. Диэлектризация вакансионных мнтерметаллических систем RNiSn, (R = Zr, Hf, Ti) // Письма в ЖЭТФ. – 1987. – Т. 45, вып. 11. – С. 535-537. 5. Akselrud L.G., Grin Yu.N., Zavalii P.Yu., Pecharsky V.K., Fundamenskii V.S., 12th European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (Nauka, М., 1989), р. 155.