Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).
1. Новосядлий С. П. Субнаномікронна технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 456 с. 2. Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням [Текст] / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат, В. М. Варварук // Східно-Європейський журнал передових технологій – 2013 – № 4 (5) 64. – С. 1–6. 3. Новосядлий С. П. Моделі транзисторів у субмікронній технології ВІС. [Текст] / С. П. Новосядлий // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002 – № 3 (4) – С. 710–717. 4. Новосядлий С. П. Констукторсько-технологічні особливості формування транзисторних структур аналогово-цифрової схемотехніки [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, В. П. Перегінський // Фізика і хімія твердого тіла – 2009. – № 4. – Т. 10 – С. 957–970. 5. Ди Лоренцо А. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления [Текст] / Под ред. А. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола: Пер. с англ. под ред. Г. В. Петрова. – М.: Радио и связь, 1988. – 489 с. 6. Новосядлий С. П. Мезоепіпланарна технологія як основа реалізації субмікронних суміщених Bi-R-D-МОН-структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський. Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2007 – № 1 (25) – С. 40–45.