1. JCCT
  2. Всі випуски
  3. Випуск 13, Номер 2, 2019
  4. характер взаємодії та склоутворення в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se

характер взаємодії та склоутворення в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se

JCCT.
2019;
Випуск 13, Номер 2
: pp. 236-239
https://doi.org/10.23939/chcht13.02.236
Автори:
  1. Imir Aliev
  2. Ceyran Ahmedova
  3. Ikram Aliev
  4. Esmira Kuli-Zade
1
Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after M.F.Nagiyev, NAS of Azerbaijan
2
Adiyaman State University
3
Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after M.F.Nagiyev, NAS of Azerbaijan
4
Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after M.F.Nagiyev, NAS of Azerbaijan

Характер взаємодії в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se досліджено за допомогою диференційного термічного, рентгеноструктурного та мікроструктурного методів, а також внаслідок вимірювання мікротвердості та визначення густини. На основі одержаних результатів побудовано діаграму стану. Встановлено, що ділянка TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se частково є квазібінарною секцією четвертинної системи As, Tl//Se, Te. Показано, що за температури 548 K у системі утворюється одна конгруентноплавка сполука TlAs2Se2Te2. Визначено, що область розчинності твердих розчинів на основі TlAs2Se3Te за кімнатної температури досягають 10 % мол. TlAs2Te3Se, а сполуки на основі TlAs2Te3Se практично не спостерігаються. Показано, що всі отримані зразки склоподібні.

конгруентно
евтектичні
квазібінарні
тверді розчини
халькогеніди

[1] Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al.: J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7
[2] Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
[3] Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088
[4] Hineva Т., Petkova Т.,Popov С. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
[5] Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A.: Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319.
[6] Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A.: Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138
[7] Aliyev I., Babanly M., Farzaliev A.: XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12 May 2007, 86.
[8] Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D.: Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259
[9] Veliev D., Aliyev I., Mamedova A.: Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312.
[10] Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G.: Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234
[11] Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R.: Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110.
[12] Aliyev I.: Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992.