Вплив металічних домішок на електричні, магнітні та структурні властивості шаруватих напівпровідникових кристалів типу А3В6
Проаналізовано перспективи застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки.