коефіцієнт термо-ЕРС

The results of modeling the thermometric characteristics of the semiconductor solid solution Lu1-xZrxNiSb, which is a promising thermometric material for the manufacture of sensitive elements of thermoelectric and electro resistive thermocouples, are presented. Modeling of the electronic structure of Lu1-xZrxNiSb was performed by the Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) method in the approximation of coherent potential and local density and by the full-potential method of linearized plane waves (FLAPW).

Подано першу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Досліджено кінетичні, енергетичні та магнітні характеристики напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,005–0,15. Виявлено механізми одночасного генерування у напівпровіднику структурних дефектів акцепторної та донорної природи.

Виконано  математичне  моделювання  та  експериментальні  вимірювання  кінетичних  та  енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур  80–400  К.  Попередні  дослідження  електрофізичних,  енергетичних  та  структурних  властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що  вони  володіють  стабільними  та  відтворюваними  характеристиками  у  температурному  діапазоні  4,2–1000  К.

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Zr1-xCexNiSn у діапазонах: T = 80÷400 K, x=0.01÷0.10 і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Zr1-xCexNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. 

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn у діапазонах T = 80÷400 K, x=0÷0.10 за напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Hf1-xErxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.