semiconductor solution conductivity

Дослідження термометричного матеріалу Hf Ni1-x CO x Sn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу HfNi1-xCoxSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Co » 9,5×1019 NA см-3 ( x = 0,005 )÷ 5,7 ×1021 см-3 ( x = 0,30 ) і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики HfNi1-xCoxSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.