1. ISTCMTM
  2. All Volumes and Issues
  3. Volume 72, 2011
  4. Прогнозування та реалізація магнетонечутливих термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-хLuхNiSn

Прогнозування та реалізація магнетонечутливих термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-хLuхNiSn

ISTCMTM.
2011;
Volume 72
: pp. 100-106
Authors:
  1. Роман Крайовський
  2. Volodymyr Romaka
1
Lviv Polytechnic National University
2
Lviv Polytechnic National University

The temperature and concentration dependencies of resistivity, thermopower and also power descriptions of Zr1- xLuxNiSn semiconductor in range, T = 80 ¸ 400 K, were investigated.

1. Ромака В.А., Ромака В.В., Стадник Ю.В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування. – Львів, 2011. – 490 с.

2. Ромака В.А., Fruchart D., Ромака В.В., Hlil E.K, Стаднык Ю.В., Гореленко Ю.К., Аксельруд Л.Г. Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника ZrNiSn. Акцепторная примесь Dy // Физ. и техн. полупр. – 2009. – Т.43, вып. 1. – С.11–17.

3. Uher C., Yang J., Hu S., Morelli D.T., Meisner G.P. Transport Properties of pure and doped MNiSn (M = Zr, Hf) / Phys. Rev. B. – 1999. – Vol. 59, № 13. – P. 8615–8621.

4. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. – М.: Наука, 1979.