Теоретична модель односпектронного транзистора

Authors:

Павлиш В. А., Закалик Л. І., Корж P. O.

Національний університет «Львівська політехніка», кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій

A physical model of single-electron transistor is discussed in present article. This model considers also Koulon-blocade created by a working channel of transistor which is < 10 nm.

1. Херман М. Полупроводниковие сверхрешетки. – М.: Мир, 1989. 2. Ford C., Washburn S., Buttiker C., Knoedler C. Phys. Rev. Lett. 62, 1998. – Р. 2724–2727. 3. Datta S. Nanotechnology. – 15, 2004. – Р. 433–451. 4. Fulton T., Dolan G. Phys. Rev. Lett. – 59. – 1987. – Р. 109–112 p. 5. Altmeyer S., Hamidi A., Spangenberg B., Kurz H. J. Vac. Sci. Technol. B14, 1996. – Р. 4034–4037. 6. Klitzing K., Dorda G., Pepper M. Phys. Rev. Lett., 45. – 1980. – Р. 494–497. 7. Tsui D., Stormer H., Gossard A. Phys. Rev., Lett. 48. – 1982. – Р. 1559–1562 p. 8. Buks E., Schuster R., Heiblum M., Umansky V. Nature 391. – 1998. – Р. 871–874. 9. Natori K. JAP. – 1994. – 4879 p. 10. Datta S. IEDM Nechn. Dig. – 2002. 11. Yuan Taur, Tak Ning, Cambrige Univ. – 1998. 12. Jonson E. RCA Rev. 34. – 1973. – 80 p.