хімічне осадження

На скляних підкладках методом хімічного осадження отримані плівки меркурій селеніду (HgSe). Використано водні розчини меркурій(II) нітрату, натрію тіосульфату, натрію селеносульфату та тринатрій цитрату. Проведено рентгенофазовий та елементний аналіз зразка плівки. Досліджено вплив концентрації вихідних реагентів, тривалості та температури синтезу на масу плівок HgSe та обчислено товщину покриттів. Досліджено оптичні та морфологічні властивості покриття HgSe. Обговорено механізм осадження.

Плівки цинк сульфіду (ZnS) і цинк селеніду (ZnSe) належать до групи напівпровідників типу АІІBVI, які є основною складовою частиною фоточутливих елементів електронних пристроїв. Аналітичний огляд науково-технічної літератури показує, що протягом останніх років ведуться інтенсивні наукові дослідження з заміни токсичних кадмій-вмісних плівок нетоксичними аналогами при збереженні ефективності фотоперетворюючих елементів.

Напівпровідникові метал-сульфідні та метал-селенідні тонкі плівки завдяки своїм унікальним оптоелектричним властивостям можуть бути використані у фотоелектричних системах. Найбільшого використання набули плівки CdS. Але через його токсичність існує значний інтерес замінити CdS іншими напівпровідниковими плівками з подібними або навіть кращими властивостями, одержаними хімічним осадженням (ХО). Одним з перспективних кандидатів заміни кадмій сульфіду є хімічно осаджені плівки індій сульфіду.

Напівпровідникові тонкі плівки халькогенідів металів підгрупи цинку завдяки своїм унікальним оптичним та електричним властивостям можуть бути використані у фотоелектричних системах. Найбільшого використання набули плівки CdS. Але через його токсичність існує значний інтерес замінити CdS іншими напівпровідниковими плівками з подібними або навіть кращими властивостями, одержаними хімічним осадженням (ХО). Одним з кандидатів заміни кадмій сульфіду є хімічно осаджені плівки халькогенідів гідрарґеруму (ІІ).

Тонкі плівки гідрарґерум сульфіду (HgS) синтезовано на скляних підкладках з водного розчину, що містив сіль гідрарґеруму, тіокарбамід та тринатрій цитрат. Встановлено, що отримані покриття є однофазними та містять гідрарґерум сульфід у структурі кіновару. Визначено параметри її елементарної комірки (a = 0,41523(4) нм, c = 0,94813(12) нм). Досліджено вплив pH середовища на товщину, оптичні

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти синтезу тонких плівок індій сульфіду методом хімічного осадження. Акцентовано увагу на виборі методу хімічного осадження в зв’язку з його перевагами. Проаналізовано основні умови синтезу плівок (природа і концентрація реагуючих речовин робочого розчину, температура, час осадження, природа підкладки, умови відпалу) та розглянуто їхній вплив на фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості плівок. Підсумовано результати досліджень фізико-хімічних властивостей плівок.

Методом хімічного осадження з ванн (ХОВ) синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості отриманих плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Отримані результати мають добру сходимість з результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки і зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS при різних кількостях комплексоутворювача.

Тонкі плівки цинку селеніду (ZnSe) синтезовано з водного розчину натрію
гідроксиду на скляних підкладках. Методом інверсійної вольтамперометрії встановлено
вплив концентрації вихідної цинк-вмісної солі, комплексуючого реагенту натрію
гідроксиду, іонів Селену та гідразину гідрату на масу Цинку в плівках ZnSe за різної
тривалості і температури осадження. На основі отриманих даних оптимізовано умови
синтезу тонких плівок цинку селеніду. Досліджено структуру, оптичні властивості,