гетероструктура

Експериментально виготовлено перовскітну сонячну комірку (PSC) зі структурою Au/Spiro-MeOTAD/CH3NH3PbI3/PEDOT:PSS/ITO. Емпірично отримано основні фотоелектричні характеристики структури, а саме вольт-амперні характеристики (ВАХ), виміряні у діапазоні напруги від -1В до 1В. Під час вимірювань були розраховані відповідні значення густини струму короткого замикання (Jsc) 1,23 мА/см² та напруги холостого ходу (Uoc) 0,19 В відповідно. Аналітично сформована модель, що відповідає виготовленому зразку.

Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).