chemical deposition

SYNTHESIS OF ZINC SULFIDE AND ZINC SELENIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS. REVIEW

The zinc sulfide (ZnS) and zinc selenide (ZnSe) films of belongs to the AIIBVI group of semiconductors type, which are the main part of photosensitive elements of electronic devices. An analytical review of the scientific and technical literature shows that in recent years intensive research has been conducted to replace toxic cadmium-containing films with non-toxic counterparts, while maintaining the effectiveness of photovoltaic elements. The ZnS and ZnSe films are the most promising for this replacement.

INVESTIGATION OFINDIUM (III) SULFIDE THIN FILMS PROPERTIES OBTAINED BY CHEMICHAL BATH TECHIQUE

Due to its unique optical and electrical properties semiconductor metal - sulfide and   metal – selenide thin films can be used in photovoltaic systems. The largest using acquired CdS films. But due to its toxicity, there is considerable interest in replacing CdS other semiconductor films with similar or even better properties obtained by chemical bath deposition (CBD). One of the promising candidates for replacing cadmium sulfide is chemically deposited film indium sulfide.

Синтез і властивості плівок цинк сульфіду (ZnS), отриманих з використанням комплексоутворювача натрій гідроксиду

Методом хімічного осадження з ванн (ХОВ) синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості отриманих плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Отримані результати мають добру сходимість з результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки і зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS при різних кількостях комплексоутворювача.

Гідрохімічний синтез тонких плівок цинку селеніду (znse) в присутності натрію гідроксиду та їхні властивості

Тонкі плівки цинку селеніду (ZnSe) синтезовано з водного розчину натрію
гідроксиду на скляних підкладках. Методом інверсійної вольтамперометрії встановлено
вплив концентрації вихідної цинк-вмісної солі, комплексуючого реагенту натрію
гідроксиду, іонів Селену та гідразину гідрату на масу Цинку в плівках ZnSe за різної
тривалості і температури осадження. На основі отриманих даних оптимізовано умови
синтезу тонких плівок цинку селеніду. Досліджено структуру, оптичні властивості,