напівпровідникові плівки

Плівки цинк сульфіду (ZnS) і цинк селеніду (ZnSe) належать до групи напівпровідників типу АІІBVI, які є основною складовою частиною фоточутливих елементів електронних пристроїв. Аналітичний огляд науково-технічної літератури показує, що протягом останніх років ведуться інтенсивні наукові дослідження з заміни токсичних кадмій-вмісних плівок нетоксичними аналогами при збереженні ефективності фотоперетворюючих елементів.

Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст іонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.