Моделювання температурних режимів у плоских елементах мікроелектронних пристроїв із наскрізними чужорідними включеннями

2012;
: cc. 185 - 189
Authors: 

В. Гавриш, О. Нитребич

Національний університет «Львівська політехніка», кафедра програмного забезпечення

Розглядається стаціонарна задача теплопровідності для ізотропної смуги з наскріз- ним чужорідним теплоактивним прямокутним включенням. За допомогою кусково- лінійної апроксимації температури на краях включення та інтегрального перетворення Фур’є побудовано аналітично-числовий розв’язок задачі з крайовими умовами другого роду. Виконано числові розрахунки температурного поля та проаналізовано їх для заданих геометричних і теплофізичних параметрів.

The steady state problem of thermal conduction for isotropic strip with heat-generating foreign reach-through rectangular inclusion has been considered. Using piecewise linear approximation of the temperature on the inclusion edges and applying the Fourier integral transform the analytical-numerical solution of the heat conduction problem with boundary conditions of second order has been formed. The numerical calculations of temperature fields have been conducted and analyzed for given geometrical and thermophysical parameters.

  1. Барвінський А.Ф. Нелінійна задача теплопровідності для неоднорідного шару з внутрішніми джерелами тепла / А.Ф. Барвінський, В.І. Гавриш // Проблемы машиностроения. – 2009. – 12, № 1. – С. 47-53.
  2. Гавриш В.І. Метод розрахунку температурних полів для термочутливої кусково-однорідної смуги із чужорідним включенням / В.І. Гавриш, Д.В. Федасюк // Промышленная теплотехника. – 2010. – 32, № 5. – С. 18–25.
  3. Гавриш В.І. Гранична задача теплопровідності для шару з чужорідним циліндричним включенням / В.І. Гавриш, Д.В.Федасюк, А.І. Косач // Фізико-хімічна механіка матеріалів. – 2010. – 46, № 5. – С. 115-120.
  4. Gavrysh V.I. Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices / V.I. Gavrysh, D.V. Fedasyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2010. – 13, № 4. –P. 439–443.
  5. Гаврыш В.И. Моделирование температурних режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. № 1–2 (90). – С. 27–30.
  6. Гавриш В.І. Моделювання теплового стану в термочутливому елементі потужного світлодіода / В.І. Гавриш, А.І. Косач // Вісник Нац. ун-ту «Львівська політехніка» Комп’ютерні науки та інформаційні технології. – 2011. – № 694. – С. 254–259.
  7. Гаврыш В.И. Моделирование температурных режимов в электронных устройствах кусочно-однородной структуры / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Электронное моделирование. – 2011. – 33, № 4. – С. 99–113.
  8. V.I. Gavrysh. Modelling of temperature conditions in the three- dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2011. – 14, № 4. – P. 478–482.
  9. Подстригач Я.С. Термоупругость тел неоднородной структуры / Я.С. Подстригач, В.А. Ломакин, Ю.М. Коляно. – М.: Наука, 1984. – 386 с.
  10. Коляно Ю.М. Методы теплопроводности и термоупругости неоднородного тела. – К.: Наук. думка, 1992. – 280 с.
  11. Корн Г. Справочник по математике для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. – М.: Наука, 1977. – 720 с.