Розглянуто можливість застосування поруватого кремнію для створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об'єктів. Зокрема, поруватий кремній може бути перспективний при формуванні самознищувальних кремнієвих чіпів для захисту криптографічних ключів, створених на базі флеш-пристроїв. Фоточутливість поруватого кремнію в широкому спектральному діапазоні придатна для створення систем фотоелектричного захисту периметру інформаційних об’єктів. Велика розвинутість поверхні нанокристалічного поруватого кремнію є визначальною для створення дешевих газоадсорбційних сенсорів на його основі, зокрема пристроїв, чутливих до вибухонебезпечних, токсичних газів, таких як метан, водень та ін.
1. Галатенко В.А. Информационная безопасность: практический подход. “Наука”, М., 1998.
2. Хореев А.А. Способы и средства защиты информации. МО РФ, М., 2000.
3. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon // J. Appl. Phys. – 1997. – V.82. – P. 909-965.
4. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surface science reports. – 2000. – V.38. – P. 1-126.
5. Niwano M. In-situ IR observation of etching and oxidation processes of Si surfaces // Surf. Sci. – 1999. – V. 427-428. – P. 199-207.
6. Монастирський Л., Аксіментьєва О., Оленич І., Ярицька Л. Інфрачервоні спектри пропускання низькорозмірних гібридних композитів на основі поруватого кремнію // Вісник Львів. ун-ту. Серія фізична. – 2009. – Вип. 44. – С. 273-278.
7. Лазарук С.К., Долбик А.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах // ФТП. – 2007. – Т.41. – С. 1130-1134.
8. Оленич І., Монастирський Л., Аксіментьєва О. Портативні повітряно-водневі паливні елементи на основі нанопоруватого кремнію // Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – Вип.1. – С.73-79.
9. Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ. – 1996. – Т.63. – С. 106-111.
10. Кисилев В.А., Полисадин С.В., Постников А.В. Изменение оптических свойств пористого кремния вследствие термического отжига в вакууме // ФТП. – 1997. – Т.31. – С.830-832.
11. Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Быстрые экзотермические процессы в пористом кремнии // ФТП. – 2005. – Т.39. – С.917-919.
12. Baratto C., Faglia G., Sberveglieri G., Gaburro Z., Pancheri L., Oton C., Pavesi L. Multiparametric Porous Silicon Sensors // Sensors.-2002. – V.2. – P. 121-126.
13. Монастирський Л.С., Морозов Л.М., Оленич І.Б., Соколовський Б.С. Спосіб отримання газового сенсора. Патент України на винахід № 92968 від 27.12.2010. Бюл. № 24.
14. Вашпанов Ю.А., Смынтына В.А. Адсорбционная чувствительность полупроводников. “Астропринт”, Одесса, 2005.