Низькотемпературні характеристики легованих ниткоподібних кристалів антимоніду галію
Проведено вимірювання температурних залежностей опору ниткоподібних кристалів (НК) GaSb n-типу в температурному діапазоні 1.5-300 К та магнітному полі до 14 Тл. Спостерігалось різке (стрибкоподібне) падіння опору в НК при температурі 4.2 К. Можливою причиною появи надпровідного стану в ниткоподібних мікрокристалах може бути виникнення слабкої анти локалізації і відповідно негативного магнетоопору. Було встановлено, що магнетоопір досліджуваних НК можна описати двохвимірною моделю слабкої антилокалізації в магнітному полі.