напівпровідник

In this work, the MOSFET device is considered.  The carrier densities in the MOSFET are modeled by the drift-diffusion equation.  We manipulate the formulas of the charge density at the equilibrium in order to derive a simple Poisson's or Laplace's equation.  To formulate a shape optimization problem, we have defined a cost functional.  The existence of an optimal solution is proved.  To solve the involved optimization problem, we have designed a numerical approach based on the finite element method combined with the genetic algorithm.  Several numerical examples are established to prove th

Розглянуто комплекс технолого-метрологічних досліджень щодо розробки методів посадки і закріплення ниткоподібних монокристалів на різних матеріалах підкладок (пружних елементів). Показано шляхи уникнення неконтрольованих спотворень вихідної бездефектної структури монокристала, які можуть виникати у вузлах його кріплення і знижувати добротність коливань резонатора, яка є основною характеристикою якості тензоперетворювача.