ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ПЛІВОК ІНДІЮ (ІІІ) СУЛЬФІДУ, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ОСАДЖЕННЯ
Напівпровідникові метал-сульфідні та метал-селенідні тонкі плівки завдяки своїм унікальним оптоелектричним властивостям можуть бути використані у фотоелектричних системах. Найбільшого використання набули плівки CdS. Але через його токсичність існує значний інтерес замінити CdS іншими напівпровідниковими плівками з подібними або навіть кращими властивостями, одержаними хімічним осадженням (ХО). Одним з перспективних кандидатів заміни кадмій сульфіду є хімічно осаджені плівки індій сульфіду.