кремній

HARDWARE & SOFTWARE COMPLEX OF OPTICAL IDENTIFICATION OF PASSIVE INFORMATION CHANNELS OF NON-CONTACT PRESSURE-TEMPERATURE SENSORS

The work proposes the use of a unique method of creating passive, multifunctional, non-contact pressure-temperature sensors. The basis of this method is a combination of inorganic semiconductors and high-molecular organic cholesteric crystals. According to their morphology, such crystals represent a spiral structure that is sensitive to changes in external physical factors, such as temperatures, due to changes in the periodicity of the structure, which leads to Bragg diffraction scattering of light on it.

СТРУКТУРА ГРАФЕН – ЗОЛОТА ГРАТКА ДЛЯ ОТРИМАННЯ ПІДСИЛЕНОГО РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРОМАГНІТНОГО ПОЛЯ

У цій роботі досліджено розподіл поля в cтруктурах типу золота гратка, графеновий шар та кремнієва підкладка. Встановлено умови максимального розподілу електромагнітного поля (поглинання) цими структурами з метою використання їх у пристроях фотоніки та електроніки. Величина напруженості електромагнітного поля дифракційної гратки із золота з шаром графену зростає зі зменшенням ширини щілини. У той же час збільшення періоду призводить до невеликих змін розподілу електромагнітного поля.

Мoдифікація поверхні кремнію наноструктурами срібла золота і паладію ґальванічним заміщенням у DMSO і DMF

Наведено результати досліджень процесу осадження нанорозмірних частинок срібла, паладію та золота на поверхню кремнію в середовищі DMSO та DMF. Описано вплив молекул органічних апротонних розчинників на геометрію металевих частинок та їх розподіл на підкладці. Показано, що розчини стійких комплексів металів ([Ag(CN)2]-, [AuCl4]-) є головним чинником формування дискретних наночастинок з невеликим діапазоном за розмірами та рівномірним розподілом по поверхні підкладки, а також наноструктурних плівок.

ВПЛИВ УМОВ ГАЛЬВАНІЧНОГО ЗАМІЩЕННЯ У РОЗЧИНАХ ДМСО НА РОЗМІРИ НАНОЧАСТИНОК ЗОЛОТА, ФІКСОВАНИХ НА ПОВЕРХНІ КРЕМНІЮ

Керований синтез частинок благородних металів заданої морфології, форми, розмірів та розподілу на поверхні підкладок Si є важливою передумовою створення складніших структур, наприклад, нанодротів, які на сьогодні є одним з найперспективніших матеріалів для створення сучасних приладів наноелектроніки.