Еlectronic structure

Виконано  математичне  моделювання  та  експериментальні  вимірювання  кінетичних  та  енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур  80–400  К.  Попередні  дослідження  електрофізичних,  енергетичних  та  структурних  властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що  вони  володіють  стабільними  та  відтворюваними  характеристиками  у  температурному  діапазоні  4,2–1000  К.