Рухливість електронів у CdSe0.35Te0.65: поєднання Ab Initio підходу з принципом близькодії
У даній роботі розглядається проблема впливу точкових дефектів на явища переносу в кристалах CdSexTe1-x (x=0,35). Вперше проведено розрахунок електронного спектру, хвильової функції та потенціальної енергії електрона в зразках CdSe0.35Te0.65 при заданій температурі. За допомогою методу суперкомірки встановлено типи точкових дефектів, а також температурну залежність їх енергій іонізації в досліджуваному інтервалі температур.