Омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу та p-типу провідності
За допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дозволяє використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проводилися для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4.2 К та 77 К.