Наведено результати комп’ютерного моделювання власного шуму елемента електроніки (ЕЕ) для різних моделей його внутрішньої структури. Наведено результати експериментальних досліджень власного шуму ЕЕ в діапазоні низьких частот, які підтверджують результати комп’ютерного моделювання, а саме: вищий рівень шуму в діапазоні низьких частот мають ті ЕЕ, у внутрішній структурі яких більше дефектів. Наведено аналітичний вираз енергетичного спектра власного шуму ЕЕ, у якому параметр τ залежить від особливостей внутрішньої структури ЕЕ. Показано, що виявлення потенційно ненадійних елементів можна здійснювати або за рівнем їхнього власного шуму в діапазоні низьких частот, або за значенням параметра τ.
[1] N. Mielke, R Frickey, I. Kalastirsky, M. Quan, D. Ustinov, V. Vasudevan, “Reliability of Solid-State Drives Based on NAND Flash Memory”, Proc. of the IEEE, vol. 105, iss. 9, p. 1725–1750, 2017.
[2] V. Kharchenko, “Problems of reliability of electronic components”, Modern Electronic Materials, vol. 1, iss. 3, p. 88–92, 2015.
[3] M. Farhadi, M. Abapour, B. Mohammadi-Ivatloo,”Reliability analysis of component-level redundant topologies for solid-state fault current limiter”, Int. Journ. Electronics, vol. 105, iss. 4, p. 541–558, 2018.
[4] C. Claeys, E. Simoen, S. Put, G. Giusi , F. Crupi, “Impact strain engineering on gate stack quality and reliability”, Solid-State Electronics, vol. 52, p. 1115–1126, 2008.
[5] H. Pon, J. Dayacap, R. Frickey, “Reliability issues studied in Solid-State Drives”, Memory Workshop IEEE 6th International, May 18–21, 2014.
[6] R. Amy, G. Aglietti, G. Richardson, “Reliability analysis of electronic equipment subjected to shock and vibration – A review”, Shock and Vibration, vol. 16, p. 45–59, 2009.
[7] Nondestructive Testing in Electronics Manufacturing. [Online]. Available: http://poeth.com/.
[8] A. Konczakowska, B. Wilamowski. Noise in Semiconductor Devices. 2010 [Online]. Available: www.eng. auburn.edu/~wilambm/pap/.../K10147_C011.pdf
[9] R. Harsh, K. Narayan, “Noise spectroscopy of polymer transistors”, Journ. Appl. Phys., vol. 118, p. 205502, 2015.
[10] A. Szewczyk, L. Łentka, J. Smulko, P. Babuchowska, F. Béguin, “Measurements of flicker noise in supercapacitor cells”, in Proc. Int. Conf. on Noise and Fluctuations, June 20–23, 2017. DOI: 10.1109/ICNF.2017.7985985.
[11] A. Balandin, K.L. Wang, S. Cai, R. Li, C.R. Viswanathan, E.N. Wang, M. Wojtowicz, “Investigation of Flicker oise and Deep-Levels in GaN/AlGaN Transistors”, J. Electron. Materials, vol. 29, p. 297, 2000.
[12] M. Kayyalha,.Yo. Chen, “Observation of reduced 1/f noise in graphene field effect transistors on boron nitride substrates”, Appl. Phys. Let., vol. 107, p. 113101, 2015.
[13] E. Simoen, M. Aoulaiche, S. dos Santos et al, “Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities”, ECS J. Solid State Sci. Technol., vol. 2(11), p. 205–210, 2013.
[14] M. Mihaila, “On the 1/f Noise and Energy Partition in Solid”, Rom. Journ. Inf. Sc. and Techn., vol. 19, no. 1–2, p. 175–187, 2016.
[15] H. Kang, V. Subramanian, “Measurement and analysis of 1/f noise under switched bias in organic thin film transistors”, Appl. Phys. Lett., vol. 194, iss .2, 2014.
[16] Z. Kolodiy, A. Kolodiy, “Fluctuations of flicker type in technical and natural systems”, in Thesis 22nd Int. Conf. on Noise Fluctuations, Corum de Montpellier, France, p. 131, June 24–28, 2013, DOI:10.1109/ICNF.2013.6578927.
[17] S. Qinghui, L. Guanxiong, D. Teweldebrhan, A. Balandin, S. Rumyantsev, M. Shur, Y. Dong, “Flicker Noise in Bilayer Graphene Transistors”, Electron Device Letters, vol. 30, iss. 3, p. 288–290, 2009.
[18] G. Leroy, L. Yang, J. Gest, L. Vandamme, “Research on the properties of ZnO films by 1/f noise measurement”, in Thesis 22nd Int. Conf. on Noise Fluctuations. Corum de Montpellier, France, p. 48, June 24–28, 2013.
[19] Z. Kolodiy, “Flicker-noise of electronic equipment: Sources, ways of reduction and application”, Radioelectronics and Communications Systems, vol. 53, p. 421–417, 2010.
[20] Z. Kolodiy, B.. Mandziy, “Calculation of Flicker Noise Power”, Automatic Control and Computer Sciences, vol. 50, no. 1, p. 15–19, 2016.
[21] Z. Kolodiy, “Detection of changes in the structure of a system according to changes of its flicker noise”, Ukr. J. Phys., vol. 53, no. 7, p. 718–722, 2008.