За допомогою диференціального термічного аналізу, порошкової рентгенівської дифракції, а також вимірювань мікротвердості і щільності була вивчена система As2Se3-Tl3As2S3Se3 і побудовано її фазову діаграму. Встановлено, що система містить нову четвертинну сполуку ТlAs2Sе3S, яка кристалізується в тетрагональну структуру. Досліджено температурна залежність електропровідності сплавів.
[1] Sati D., Kumar R., Mehra M.: Turk. J. Phys., 2006, 30, 519.
[2] Lovu M., Shutov S., Rebeja S. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53.
[3] Hineva Т., Petkova Т., Popov С. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326.
[4] Littler I., Fu L., Magi E. et al.: Opt. Express, 2006, 14, 8088. http://dx.doi.org/10.1364/OE.14008088
[5] Kandpal S., Kushwaha R.P.S.: PRAM ANA J. Phys., 2007, 69, 481.
[6] Babaev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A.: Neorgan. Materialy, 2008, 44, 1187.
[7] Aliyev I., Аliyev Е.: 8th Eur. Conf. Solid State Chem. Norway, Oslo 2001, 215 .
[8] Farzaliev A., Aliev I., Aliev O., Aliyev I.: V Int. Conf. “Amorphous and microcrystalline semiconductors”. Russia, St.Petrsburg 2006, 203.
[9] Veliev C., Aliev I., Mamedova A.: Russ. J. Inorg. Chem., 2007, 52, 312. http://dx.doi.org/10.1134/S0036023607020234
[10] Aliev I., Bagieva M., Babanly M. et al.: Russ. J. Inorg. Chem, 2011, 56, 498. http://dx.doi.org/10.1134/S0036023611030028
[11] Liakishev N. (Ed.): Diahramy Sostoianyia Dvoinykh Metallycheskykh System. Mashinostroenie, Moskva 2001, T.3.
[12] Chernov A.: Ph.D. thesis, Institute of General and Inorganic Chemistry, Moskva 1970.
[13] Aliyev I.: Doct. thesis. Fiziko-khimicheskie osnovy polucheniia novykh materialov v khalkohenidnykh systemakh arsenia s khalkohenidami indiia i tallia. Baku 1992.