aprotic solvents

Нанесення наночастинок металів, зокрема срібла на поверхню кремнію використовують для формування антивідбивної поверхні фотоелектричних перетворювачів. Одним із перспективних методів такої модифікації є метод гальванічного заміщення, який характеризується  широкими можливостями керованого впливу на морфологію осаджуваного наноструктурованого металу.  Осадження срібла гальванічним заміщенням найбільш вивчене у водних розчинах AgNO3 у  присутності HF.

The electrolysis of TeCl4 solutions in dimethylsulfoxide, dimethylformamide and acetonitrile using soluble tellurium anodes has been investigated. At 313 K in 0.05 M TeCl4 over graphic undercoat the formation of compact tellurium deposit took place at cathode potentials less than 1.0 V and formation of dispersed deposit – at values more than 1.25-1.5 V. Using results of SEM researches it was established that dispersed tellurium formed