Досліджено енергетичні, магнітні та електрокінетичні характеристики термометричного матеріалу HfNi_1-x Rh_x Sn у діапазонах: T=80-400K, N^Rh _A≈9.5E19cm^-3 (x=0.005)÷1.9E21см^-3 (x=0.10) і напруженості магнітного поля H≤10кГс. Показано, що одержаний термоелектричний матеріал має високу ефективність перетворення теплової енергії в електричну.
***The electron energy state, magnetic and transport characteristics of of thermometric materials HfNi_1-x Rh_x Sn were investigated in the T=80-400K temperature range and at charge carriers concentration from N^Rh _A≈9.5E19cm^-3 (x=0.005)÷1.9E21см^-3 (x=0.10) and H≤10kGs. It was shown that the obtained thermoelectric material has high efficiency conversion of thermal energy into electrical energy.***
Исследованы энергетические, магнитные и электрокинетические характеристики термометрического материала HfNi_1-x Rh_x Sn в диапазонах: T=80-400K, N^Rh _A≈9.5E19cm^-3 (x=0.005)÷1.9E21см^-3 (x=0.10) и напряженности магнитного поля H≤10кГс. Показано, что полученный термоэлектрический материал имеет высокую эффективность преобразования тепловой энергии в электрическую.
1. Ромака В.А., Ромака В.В., Стадник Ю.В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування (Л., Львівська політехніка, 2011, 488 с.).
2. V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, V. V. Romaka, E. K. Hlil, V. Ya. Krayovskii, and A. M. Horyn. Features of the Conduction Mechanisms of the n-HfNiSn Semiconductor Heavily Doped with the Co Acceptor Impurity // Semiconductors. –2012. – V. 46, №9. – p. 1106–1113;
3. Mott N.F. Metal-Insulator Transitions (Second Edition, London-Bristol: Taylor & Francis, 1990, 266 р.;
4. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979, 416 с.);
5. Romaka V.A., Stadnyk Yu.V., Romaka V.V., Fruchart D., Gorelenko Yu.K., Chekurin V.F., Horyn A.M. Features of Electrical Conductivity in the n-ZrNiSn Intermetallic Semiconductor Heavily Doped with the In Acceptor Impurity // Semiconductors. – 2007. – Vol. 41, №9. – р. 1041-1047;