Досліджено енергетичні, електрокінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Ti_1-x Y_x NiSn у діапазонах: T=80-400K, N^Y _A≈9.5E19cm^-3 (x=0.005)÷1.9E21см^-3 (x=0.10) і напруженості магнітного поля H≤ 10кГс. Показано, що характеристики матеріалу Ti_1-x Y_x NiSn є чутливими до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.
***The electron energy state, magnetic and transport characteristics of of thermometric materials Ti_1-x Y_x NiSn were investigated in the T=80-400K temperature range and at charge carriers concentration from N^Y _A≈9.5E19cm^-3 (x=0.005)÷1.9E21cm^-3 (x=0.10) and H≤10kGs. The material Ti_1-x Y_x NiSn is sensitive to the temperature change and could be used as the basis for the sensitive thermoelectric devices.***
Исследованы энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики термометрического материала Ti_1-x Y_x NiSn в диапазонах: T=80-400K, N^Y _A≈9.5E19cм^-3 (x=0.005)÷1.9E21см^-3 (x=0.10) и напряженности магнитного поля H≤10кГс. Показано, что характеристики материала Ti_1-x Y_x NiSn чувствительны к изменению температуры и он может быть основой для изготовления чувствительных элементов термопреобразователей.
1. Ромака В.А., Ромака В.В., Стадник Ю.В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування (Л., Львівська політехніка, 2011, 488 с.).
2. V. A. Romaka, E.K. Hlil, Ya.V. Skolozdra, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, L.P. Romaka and A. M. Horyn.Features of the mechanisms of generation and “healing” of structural defects in the heavily doped intermetallic semiconductor n-ZrNiSn // Semiconductors. –2009. – V. 43, №9. – p. 1115–1123;
3. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979, 416 с.).