zinc sulfide

Based on thermodynamic constants, the concentration limits of the initial zinc-containing salt and the range of pH values at which the depositions of ZnS and ZnSe without Zn(OH)2 are possible were calculated. The boundary conditions of the formation of the ZnSxSe1–x solid solution in the hydroxide-hydrazine-thiourea-selenium system were defined by the overlap area between the constructed ZnS and ZnSe formation zones. The task of complex intermolecular interaction between complexed zinc ions and two chalcogenizers in the working solution was solved on the basis of mathematical calculations.

The zinc sulfide (ZnS) and zinc selenide (ZnSe) films of belongs to the AIIBVI group of semiconductors type, which are the main part of photosensitive elements of electronic devices. An analytical review of the scientific and technical literature shows that in recent years intensive research has been conducted to replace toxic cadmium-containing films with non-toxic counterparts, while maintaining the effectiveness of photovoltaic elements. The ZnS and ZnSe films are the most promising for this replacement.

Методом хімічного осадження з ванн (ХОВ) синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості отриманих плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Отримані результати мають добру сходимість з результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки і зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS при різних кількостях комплексоутворювача.