zinc sulfide

Based on thermodynamic constants, the concentration limits of the initial zinc-containing salt and the range of pH values at which the depositions of ZnS and ZnSe without Zn(OH)2 are possible were calculated. The boundary conditions of the formation of the ZnSxSe1–x solid solution in the hydroxide-hydrazine-thiourea-selenium system were defined by the overlap area between the constructed ZnS and ZnSe formation zones. The task of complex intermolecular interaction between complexed zinc ions and two chalcogenizers in the working solution was solved on the basis of mathematical calculations.

Плівки цинк сульфіду (ZnS) і цинк селеніду (ZnSe) належать до групи напівпровідників типу АІІBVI, які є основною складовою частиною фоточутливих елементів електронних пристроїв. Аналітичний огляд науково-технічної літератури показує, що протягом останніх років ведуться інтенсивні наукові дослідження з заміни токсичних кадмій-вмісних плівок нетоксичними аналогами при збереженні ефективності фотоперетворюючих елементів.

Методом хімічного осадження з ванн (ХОВ) синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості отриманих плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Отримані результати мають добру сходимість з результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки і зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS при різних кількостях комплексоутворювача.