Створення і властивості фоточутливих гетероструктур n-cds/p-cdte

Автори: 
Шаповал П.Й., Гумінілович Р.Р., Ятчишин Й.Й., Кусьнеж В.В., Ільчук Г.А.

Національний університет „Львівська політехніка”, 1кафедра аналітичної хімії,  2кафедра фізики 

This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated. Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe.

1. Solar PV energy conversion and the 21st century’s civilization / Y. Hamakawa // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2002. – Vol. 74. – P. 13–22. 2. Solar cell efficiency tables (version 19) /  M.A. Green [et al] // Prog. Photovolt.: Res. and Appl. – 2002. – Vol. 10. – P. 55–61. 3. Solar cell efficiency tables (version 22) / M.A. Green [et al] // Prog. Photo-volt.: Res. and Appl. – 2003. – Vol. 11. – P. 347– 352. 4. Solar cell efficiency tables (version 26) / M.A. Green [et al] // Prog. Photo-volt.: Res. and Appl. – 2005. – Vol. 13. – P. 387–392. 5 Solar cell efficiency tables (version 27) / M.A. Green [et al] // Prog. Photo-volt.: Res. and Appl. – 2006. – Vol. 14. – P. 45–57. 6. Preparation of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells by two-stage selenization processes using N2 gas / V.F. Gremenok [et al] // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2005. – Vol. 89. – № 1–2. – P. 129–137. 7 П.Й. Шаповал, Ф.І. Цюпко, В.В. Кусьнеж, Г.А. Ільчук. Властивості тонких плівок CdS, отриманих способом хімічного поверхневого осадження. Вісник Нац. ун-ту “Львівська політехніка”, “Хімія, технологія речовин та їх застосування”. – 2009. – № 644. – С. 28–33. 8. П.Й. Шаповал, В.В. Кусьнеж, Г.А. Ільчук,  Й.Й. Ятчишин. Осадження та властивості тонких плівок CdS. Вопросы химии и химической технологии, 2010. – № 3. – С. 162–165. 9. Г.А. Ільчук, В.В. Кусьнеж, П.Й. Шаповал, Ф.І. Цюпко, Р.Ю. Петрусь, С.В. Токарев, О.І. Горбова. Хімічне поверхневе осадження тонких плівок CdS з водного розчину солі CdI2 // Журнал нано- та електронної фізики, 2009. – Т.1, № 2. – С. 42–48.  10. M.E. Calixto, P.J. Sebastian,  Solar Energy Materials & Solar Cells 59 (1999) 65–74. 11. Физико- химические свойства полупроводниковых веществ. Под ред. А.В. Новоселовой. – М.: Наука, 1978.  12 Баранский П.И. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. / П.И. Баранский,  В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. – К.: Наук. думка, 1975. 13. Hernandez Е. Space-charge-limited current effects in p-type CuIn0.8Ga0.2Se2/In Schottky diodes / Е. Hernandez. Cryst. Res. Technol. – 1998. –  N 33. – P. 285–289. 14. Ламперг Г. Иижекционные токи в твердых телах / Г. Ламперг, П. Марк. – М.: Мир, 1973. 15. Physics and Chemistry of II-VI Compounds. Ed by M. Aven and J.S. Prener. – Amsterdam: North-Holland, 1967. 16. G.A. Il’chuk, V.I. Ivanov-Omski, V.Yu. Rud’, Yu.V.Rud’,  R.N. Bekimbetov, N.A. Ukrainets. Fabrication and photoelectric properties of oxide/CdTe structures // Semiconductors. – 2000. – N 34. – P. 1099–1102.