Стаття присвячена дослідженню особливостей перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, які леговані бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехіднного металу з незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнетоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Проведено детальний аналіз результатів досліджень магніто–транспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si <B, Ni> визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см-3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.