Процес виготовлення елементів мікроелектроніки на основі процесу іонно-плазмового напилення потребує неперервного контролю температури кремнієвої підкладки. Запропоновано використовувати для цього термометр випромінення. Розглянуто особливості вимірювання температури підкладки термометром випромінення у процесі іонно-плазмового напилення.
1. Минайчев В.Е. Нанесение пленок в вакууме. – М.: Высш. шк., 1989. – 110 с.
2. Гоц Н. Моделювання похибок вимірювання температури методами двоканальної термометрії випромінення // Вісник Нац. ун-ту «Львівська політехніка», «Комп’ютерні науки та інформаційні технології». – Львів, 2011. – № 694. – С. 205–211.
3. Гордов А.Н. Основы пирометрии. – М.: Металлургия, 1971. – 446 с.
4. Брянский Л.Н., Дойников А.С. Краткий справочник метролога. – М. : Изд-во стандартов, 1991. – С. 79.
5. Госсорг Ж. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение: пер. с фр. – М.: Мир, 1988. – 399 с.
6. Ранцевич В.Б. Пирометрия при посторонних источниках излучения. – Минск: Наука и техника, 1988. – 152 с.
7. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур. – М: Наука, 1982. – 296 с.
8. Гоц Н., Пянтковски Т. Дослідження впливу приймача випромінення на точність вимірювання температури за випроміненням багатоспектральними методами // Вісник Нац. ун-ту «Львівська політехніка», «Комп’ютерні науки та інформаційні технології». – Львів, 2010. – № 686. – С.290–296.