Досліджено розпорошення кристалів PbTe, SnTe та GeTe іонами Ar+ низької енергієї, визначено швидкість розпорошення vsp та її залежність від складу кристалічної матриці і енергії розпорошення. Встановлено, що за однакових умов швидкість розпорошення телуридів GeTe-SnTe-PbTe зростає зі збільшенням їх середньої атомної маси. Виявлені зміни пояснено змінами поверхневої енергії зв’язку атомів металів у телуридах свинцю, олова та германію. Показано, що для всіх досліджуваних сполук швидкість розпорошення зростає також зі збільшенням енергії розпорошення. У діапазоні енергій від 160 до 550 еВ це збільшення майже лінійне. Розраховано коефіцієнти зміни швидкості розпорошення з енергією dvsp/dE. Визначено поверхневу густину іонно-індукованих структур та відносну площу покритої ними розпорошеної поверхні для природних бокових поверхонь кристалу PbTe, вирощеного з розплаву методом Бриджмена, як функцію енергії розпорошення. Показано, що за постійного часу розпорошення обидва параметри експоненційно зменшуються при збільшенні енергії розпорошення.
- H.Oechsner, Secondary neutral mass spectrometry (snms) and its application to depth profile and interface analysis, thin film and depth profile analysis, Ed. by Oechsner H, Springer-Verlag, pp. 63-86,1984.
https://doi.org/10.1007/978-3-642-46499-7_4 - O. Auciello and J. Vac. Sci. Technol. 19, 841 (1981).
https://doi.org/10.1116/1.571224 - Wai Lun Chan, Eric Chason, J. Appl. Phys. 101, 121301 (2007).
https://doi.org/10.1063/1.2749198 - D.M. Zayachuk, E.I. Slynko, V.E. Slynko, and A. Csik, Materials Letters, 173, 167 (2016).
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.03.038 - Dmytro Zayachuk and Attila Csik, PbTe Crystal Sputtering and Re-deposition of Sputtered Species, (Saarbrucken, Germany: LAP Lambert Academic Publishing: 2016).
- D.M. Zayachuk, V.E. Slynko, and A. Csik, Mater. Sci. Semiconductor Processing, 88, 103 (2018).
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.07.037 - D.M. Zayachuk, V.E. Slynko, Cs. Buga, A. Csik, Vacuum 99, 163 (2019).
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.02.008 - D.M. Zayachuk, Cs. Buga, V.E. Slynko, and A. Csík, Materials Today: Proceedings, 35, Part 4, 2021, 513-517.
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.10.011 - A. Csík, D.M. Zayachuk, V.E. Slynko, U. Schmidt, Cs. Buga, and K. Vad, Materials Letters 236, 5 (2019).
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2018.10.061 - D.M. Zayachuk, Y.D. Zayachuk, Cs. Buga, V.E. Slynko, and A. Csík, Vacuum, 186 (2021) 110058.
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110058 - J. Broeke, J.M.M. Perez, and J.Pascau, Image Processing with ImageJ. – 2nd Edition. – Packt Publishing, p.256, 2015. ISBN 978-1-78588-983-7.
- P. Sigmund: Elements of Sputtering Theory. In: Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering. T. Som, D. Kanjilal. Pan Stanford Publishing, p. 1-40, 2013.
https://doi.org/10.1201/b13726-2 - R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988).
https://doi.org/10.1116/1.575561 - R. Kelly, O. Auciello,Surface Sci. 100 (1980) 135.
https://doi.org/10.1016/0039-6028(80)90449-5 - G. Nimtz and B. Schlicht, Narrow-Gap Semiconductors: Narrow Gap Lead Salts, Springer, Berlin, 1985, pp. 1–117.
https://doi.org/10.1007/BFb0044920