ОПТИМІЗАЦІЯ ГЕОМЕТРІЇ П’ЄЗОРЕЗИСТИВНОГО ЕФЕКТУ НА ПРИКЛАДІ КУБІЧНИХ КРИСТАЛІВ
На прикладі напівпровідникових кристалів Ge, Si, PbTe, PbS, InSb з різними рівнями легування та різними типами провідності проведено оптимізацію геометрії п’єзорезистивного ефекту, а саме визначено такі напрямки вимірювання напруги та прикладання одновісного тиску, які забезпечують максимально досяжне значення ефекту. Оптимізація базується на підході, що використовує побудову та аналіз екстремальних поверхонь, які представляють усі можливі максимуми цільової функції (величини ефекту) при різних просторових орієнтаціях взаємодіючих факторів.