extreme surfaces

ОПТИМІЗАЦІЯ ГЕОМЕТРІЇ П’ЄЗОРЕЗИСТИВНОГО ЕФЕКТУ НА ПРИКЛАДІ КУБІЧНИХ КРИСТАЛІВ

На прикладі напівпровідникових кристалів Ge, Si, PbTe, PbS, InSb з різними рівнями легування та різними типами провідності проведено оптимізацію геометрії п’єзорезистивного ефекту, а саме визначено такі напрямки вимірювання напруги та прикладання одновісного тиску, які забезпечують максимально досяжне значення ефекту. Оптимізація базується на підході, що використовує побудову та аналіз екстремальних поверхонь, які представляють усі можливі максимуми цільової функції (величини ефекту) при різних просторових орієнтаціях взаємодіючих факторів.

Оптимізація геометрії лінійного електрооптичного ефекту в кристалах LiNbO3:MgO

За методом екстремальних поверхонь визначено глобальний максимум лінійного електрооптичного ефекту в кристалах LiNbO3:MgO. Показано, що максимально досяжні наведені значення зміни оптичного шляху для звичайної та незвичайної хвиль становлять 119 та 277 пм/В для довжини хвилі 632.8 нм та кімнатної температури, а глобальний максимум за різницею ходу для хвиль ортогональної поляризації становить 269 пм/В. Ці величини перевищують у ~1.5; 1.7 та 2.3 разу відповідні значення ефекту на прямих зрізах цих кристалів.