кремній

The work proposes the use of a unique method of creating passive, multifunctional, non-contact pressure-temperature sensors. The basis of this method is a combination of inorganic semiconductors and high-molecular organic cholesteric crystals. According to their morphology, such crystals represent a spiral structure that is sensitive to changes in external physical factors, such as temperatures, due to changes in the periodicity of the structure, which leads to Bragg diffraction scattering of light on it.

This research has produced multicomponent titanium-doped chromium coatings to strengthen the working surfaces of press tooling dies operated under aggressive conditions during the vulcanization of products from new elastomeric materials. The pressing was carried out on a hydraulic vulcanization press 100-400 2E.

У цій роботі досліджено розподіл поля в cтруктурах типу золота гратка, графеновий шар та кремнієва підкладка. Встановлено умови максимального розподілу електромагнітного поля (поглинання) цими структурами з метою використання їх у пристроях фотоніки та електроніки. Величина напруженості електромагнітного поля дифракційної гратки із золота з шаром графену зростає зі зменшенням ширини щілини. У той же час збільшення періоду призводить до невеликих змін розподілу електромагнітного поля.

Наведено результати досліджень процесу осадження нанорозмірних частинок срібла, паладію та золота на поверхню кремнію в середовищі DMSO та DMF. Описано вплив молекул органічних апротонних розчинників на геометрію металевих частинок та їх розподіл на підкладці. Показано, що розчини стійких комплексів металів ([Ag(CN)2]-, [AuCl4]-) є головним чинником формування дискретних наночастинок з невеликим діапазоном за розмірами та рівномірним розподілом по поверхні підкладки, а також наноструктурних плівок.

Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).