кремній

CHROME PLATING OF PRESS TOOLING USED IN THE PRODUCTION OF NEW ELASTOMERIC MATERIALS

This research has produced multicomponent titanium-doped chromium coatings to strengthen the working surfaces of press tooling dies operated under aggressive conditions during the vulcanization of products from new elastomeric materials. The pressing was carried out on a hydraulic vulcanization press 100-400 2E.

СТРУКТУРА ГРАФЕН – ЗОЛОТА ГРАТКА ДЛЯ ОТРИМАННЯ ПІДСИЛЕНОГО РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРОМАГНІТНОГО ПОЛЯ

У цій роботі досліджено розподіл поля в cтруктурах типу золота гратка, графеновий шар та кремнієва підкладка. Встановлено умови максимального розподілу електромагнітного поля (поглинання) цими структурами з метою використання їх у пристроях фотоніки та електроніки. Величина напруженості електромагнітного поля дифракційної гратки із золота з шаром графену зростає зі зменшенням ширини щілини. У той же час збільшення періоду призводить до невеликих змін розподілу електромагнітного поля.

Мoдифікація поверхні кремнію наноструктурами срібла золота і паладію ґальванічним заміщенням у DMSO і DMF

Наведено результати досліджень процесу осадження нанорозмірних частинок срібла, паладію та золота на поверхню кремнію в середовищі DMSO та DMF. Описано вплив молекул органічних апротонних розчинників на геометрію металевих частинок та їх розподіл на підкладці. Показано, що розчини стійких комплексів металів ([Ag(CN)2]-, [AuCl4]-) є головним чинником формування дискретних наночастинок з невеликим діапазоном за розмірами та рівномірним розподілом по поверхні підкладки, а також наноструктурних плівок.

Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем

Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).