кремній

Наведено результати досліджень процесу осадження нанорозмірних частинок срібла, паладію та золота на поверхню кремнію в середовищі DMSO та DMF. Описано вплив молекул органічних апротонних розчинників на геометрію металевих частинок та їх розподіл на підкладці. Показано, що розчини стійких комплексів металів ([Ag(CN)2]-, [AuCl4]-) є головним чинником формування дискретних наночастинок з невеликим діапазоном за розмірами та рівномірним розподілом по поверхні підкладки, а також наноструктурних плівок.

Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).