напівпровідник

На прикладі напівпровідникових кристалів Ge, Si, PbTe, PbS, InSb з різними рівнями легування та різними типами провідності проведено оптимізацію геометрії п’єзорезистивного ефекту, а саме визначено такі напрямки вимірювання напруги та прикладання одновісного тиску, які забезпечують максимально досяжне значення ефекту. Оптимізація базується на підході, що використовує побудову та аналіз екстремальних поверхонь, які представляють усі можливі максимуми цільової функції (величини ефекту) при різних просторових орієнтаціях взаємодіючих факторів.

Проведено квантово-хімічне моделювання хімізму процесу синтезу CdS та CdSe у водних розчинах. Змодельовано синтез CdS шляхом утворення проміжних комплексних форм Cd(II) з тринатрій цитратом та амоній гідроксидом. При синтезі CdSe використано натрій селеносульфат з тринатрій цитратом і без нього.

Проведено квантово-хімічне моделювання процесу синтезу ZnS та ZnSe у водних розчинах. Змодельовано синтез ZnS шляхом утворення проміжних комплексних форм Zn(II) з тринатрій цитратом, натрій гідроксидом та парою амоній гідроксиду з гідразин гідратом. При синтезі ZnSe використано лише натрій гідроксид. Встановлено, що даний процес проходить через декілька проміжних стадій з утворенням перехідних реакційноздатних комплексів. На основі отриманих даних побудовано енергетичні діаграми стадій та проведено порівняння процесів синтезу ZnS і ZnSe з різними комплексоутворювальними реагентами.

Методом хімічного осадження отримано плівки меркурію сульфіду (HgS) та меркурію селеніду (HgSe) з водного розчину солі меркурію(II), комплексоутворювального та халькогенізуючого реагентів. Для отримання комплексних форм з Hg(II) під час синтезу плівок HgS використано тіокарбамід, а під час синтезу плівок HgSe – калій йодид, калій роданід та натрій тіосульфат. Рентгенофазовим аналізом підтверджено утворення цільових сполук, а також формування тернарної сполуки Hg3I2Se2 під час синтезу плівок HgSe з використанням калій йодиду.

За допомогою диференціального термічного аналізу, порошкової рентгенівської дифракції, а також вимірювань мікротвердості і щільності була вивчена система As2Se3-Tl3As2S3Se3 і побудовано її фазову діаграму. Встановлено, що система містить нову четвертинну сполуку ТlAs2Sе3S, яка кристалізується в тетрагональну структуру. Досліджено температурна залежність електропровідності сплавів.