тонкі плівки

На скляних підкладках методом хімічного осадження отримані плівки меркурій селеніду (HgSe). Використано водні розчини меркурій(II) нітрату, натрію тіосульфату, натрію селеносульфату та тринатрій цитрату. Проведено рентгенофазовий та елементний аналіз зразка плівки. Досліджено вплив концентрації вихідних реагентів, тривалості та температури синтезу на масу плівок HgSe та обчислено товщину покриттів. Досліджено оптичні та морфологічні властивості покриття HgSe. Обговорено механізм осадження.

Проведено квантово-хімічне моделювання хімізму процесу синтезу CdS та CdSe у водних розчинах. Змодельовано синтез CdS шляхом утворення проміжних комплексних форм Cd(II) з тринатрій цитратом та амоній гідроксидом. При синтезі CdSe використано натрій селеносульфат з тринатрій цитратом і без нього.

Проведено квантово-хімічне моделювання процесу синтезу ZnS та ZnSe у водних розчинах. Змодельовано синтез ZnS шляхом утворення проміжних комплексних форм Zn(II) з тринатрій цитратом, натрій гідроксидом та парою амоній гідроксиду з гідразин гідратом. При синтезі ZnSe використано лише натрій гідроксид. Встановлено, що даний процес проходить через декілька проміжних стадій з утворенням перехідних реакційноздатних комплексів. На основі отриманих даних побудовано енергетичні діаграми стадій та проведено порівняння процесів синтезу ZnS і ZnSe з різними комплексоутворювальними реагентами.

Методом хімічного осадження отримано плівки меркурію сульфіду (HgS) та меркурію селеніду (HgSe) з водного розчину солі меркурію(II), комплексоутворювального та халькогенізуючого реагентів. Для отримання комплексних форм з Hg(II) під час синтезу плівок HgS використано тіокарбамід, а під час синтезу плівок HgSe – калій йодид, калій роданід та натрій тіосульфат. Рентгенофазовим аналізом підтверджено утворення цільових сполук, а також формування тернарної сполуки Hg3I2Se2 під час синтезу плівок HgSe з використанням калій йодиду.

Альтернативні і поновлювані джерела енергії, такі як енергія вітру і сонячного світла, гідро- і геотермальна енергія, у всьому світі привертають все більше уваги. Зростаючий інтерес до них викликаний екологічними міркуваннями, з одного боку, і обмеженістю традиційних земних ресурсів - з іншого. Особливе місце серед альтернативних і поновлюваних джерел енергії займають фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії.

Напівпровідникові метал-сульфідні та метал-селенідні тонкі плівки завдяки своїм унікальним оптоелектричним властивостям можуть бути використані у фотоелектричних системах. Найбільшого використання набули плівки CdS. Але через його токсичність існує значний інтерес замінити CdS іншими напівпровідниковими плівками з подібними або навіть кращими властивостями, одержаними хімічним осадженням (ХО). Одним з перспективних кандидатів заміни кадмій сульфіду є хімічно осаджені плівки індій сульфіду.

Напівпровідникові тонкі плівки халькогенідів металів підгрупи цинку завдяки своїм унікальним оптичним та електричним властивостям можуть бути використані у фотоелектричних системах. Найбільшого використання набули плівки CdS. Але через його токсичність існує значний інтерес замінити CdS іншими напівпровідниковими плівками з подібними або навіть кращими властивостями, одержаними хімічним осадженням (ХО). Одним з кандидатів заміни кадмій сульфіду є хімічно осаджені плівки халькогенідів гідрарґеруму (ІІ).

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти синтезу тонких плівок індій сульфіду методом хімічного осадження. Акцентовано увагу на виборі методу хімічного осадження в зв’язку з його перевагами. Проаналізовано основні умови синтезу плівок (природа і концентрація реагуючих речовин робочого розчину, температура, час осадження, природа підкладки, умови відпалу) та розглянуто їхній вплив на фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості плівок. Підсумовано результати досліджень фізико-хімічних властивостей плівок.

Досліджено спектральні та кутові умови для просвітлення границь за допомогою подавлення імпедансного контрасту, застосовуючи метод теоретичного і комп'ютерного аналізу функції обвідних спектрів багатопроменевої інтерференції. Дослідження прово- дились у резонансній області дисперсії діелектричної проникності в одинарних та бінарних плоско паралельних структурах. Одержані аналітичні співвідношення між кутом Брюстера/псевдо-Брюстера і параметрами структури.