напівпровідникові плівки

Solid solutions films of mercury sulfide-selenide (HgS1–xSex) were synthesized on glass substrates by the chemical bath deposition method. Theoretical calculations of the boundary conditions for the HgS and HgSe formation in the mercury-tartrate-thiourea-selenosulfate system were made. The boundary conditions of HgS1–xSex were defined by the overlap area between the constructed HgS and HgSe formation zones. The X-ray diffraction and elemental analysis showed that the obtained films are single-phase and consist of HgS1–xSex substitutional solid solutions in zincblende modification.

Плівки цинк сульфіду (ZnS) і цинк селеніду (ZnSe) належать до групи напівпровідників типу АІІBVI, які є основною складовою частиною фоточутливих елементів електронних пристроїв. Аналітичний огляд науково-технічної літератури показує, що протягом останніх років ведуться інтенсивні наукові дослідження з заміни токсичних кадмій-вмісних плівок нетоксичними аналогами при збереженні ефективності фотоперетворюючих елементів.

Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст іонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.