гальванічне заміщення

Розкрито можливості методу гальванічного заміщення в формуванні металевої наноструктурованої поверхні для електрокаталітичних процесів. Ґрунтуючись на електрохімічному механізмі процесу та, враховуючи тип підкладки, наведено такі напрями застосування цього методу: модифікація поверхні металів та синтез металевих наноструктур. Основними способами підготування електрокаталізаторів на основі наноструктурованих металевих систем одержаних гальванічним заміщенням є: 1) заміщенням безпосередньо на металеву поверхню електрода; 2) фіксація на поверхню електрода попередньо синтезованих наноструктур.

Керований синтез частинок благородних металів заданої морфології, форми, розмірів та розподілу на поверхні підкладок Si є важливою передумовою створення складніших структур, наприклад, нанодротів, які на сьогодні є одним з найперспективніших матеріалів для створення сучасних приладів наноелектроніки.

Електрохімічний метод конверсії СО2 в цінні продукти перспективний як в економічному, так і технологічному аспектах. Проте відновлення є складний багатостадійний і багафакторний каталітичний процес. Природа поверхні катода, його структура, склад електроліту, режими відновлення суттєво впливають на швидкість перетворення СО2 і селективність за продуктами.

Нанесення наночастинок металів, зокрема срібла на поверхню кремнію використовують для формування антивідбивної поверхні фотоелектричних перетворювачів. Одним із перспективних методів такої модифікації є метод гальванічного заміщення, який характеризується  широкими можливостями керованого впливу на морфологію осаджуваного наноструктурованого металу.  Осадження срібла гальванічним заміщенням найбільш вивчене у водних розчинах AgNO3 у  присутності HF.