коефіцієнт термо-ерс.

Представлено результати комплексного дослідження напівпровідникового термометричного матеріалу TiСo1-xMnxSb, х=0.01–0.10, для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Мікрозондовий аналіз концентрації атомів на поверхні зразків TiСo1-xMnxSb встановив їхню відповідність вихідним складам шихти, а рентгенівський фазовий аналіз показав відсутність на їхніх дифрактограмах слідів сторонніх фаз.

Представлено другу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Проведено моделювання термодинамічних, електрокінетичних, енергетичних та структурних характеристик напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для різних варіантів просторового розташування атомів.