електронна структура

КІНЕТИЧНІ ТА ЕНЕРГЕТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ TiCo1-xMnxSb: МОДЕЛЮВАННЯ ТА ЕКСПЕРИМЕНТ

Представлено результати комплексного дослідження напівпровідникового термометричного матеріалу TiСo1-xMnxSb, х=0.01–0.10, для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Мікрозондовий аналіз концентрації атомів на поверхні зразків TiСo1-xMnxSb встановив їхню відповідність вихідним складам шихти, а рентгенівський фазовий аналіз показав відсутність на їхніх дифрактограмах слідів сторонніх фаз.

ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ Ti1-xScxCoSb. МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК

Представлено другу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Проведено моделювання термодинамічних, електрокінетичних, енергетичних та структурних характеристик напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для різних варіантів просторового розташування атомів.

ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ Ti1-xScxCoSb. КІНЕТИЧНІ, ЕНЕРГЕТИЧНІ ТА МАГНІТНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Подано першу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Досліджено кінетичні, енергетичні та магнітні характеристики напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,005–0,15. Виявлено механізми одночасного генерування у напівпровіднику структурних дефектів акцепторної та донорної природи.

Дослідження термометричного матеріалу Zr1-xCeNiSn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Zr1-xCexNiSn у діапазонах: T = 80÷400 K, x=0.01÷0.10 і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Zr1-xCexNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. 

Дослідження термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn у діапазонах T = 80÷400 K, x=0÷0.10 за напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Hf1-xErxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.

Квантово-хімічний розрахунок електронної структури модифікованих кремнійвмісних цеолітних кластерів йонами цинку і кальцію

Із використанням напівемпіричного квантово-хімічного методу PM6 проведені розрахунки геометричної та електронної структури модифікованих кластерів клиноптилоліту катіонами кальцію та цинку. Отримано значення теплот утворення, потенціалів йонізації, енергій EHOMO та ELUMO, зарядів на катіонах та кислотних центрах, а також енергії зв’язків катіонів з кластером. Проаналізовано перерозподіл електронної густини на атомах кисню кластерів під час утворення зв’язків з катіонами цинку та кальцію. Проведено оцінку реакційної здатності модифікованих кластерів клиноптилоліту до сорбції йонів водню.