хімічне поверхневе осадження

СПОСОБИ ОТРИМАННЯ ПЛІВОК CdS І CdSe ТА ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ. ОГЛЯД

Альтернативні і поновлювані джерела енергії, такі як енергія вітру і сонячного світла, гідро- і геотермальна енергія, у всьому світі привертають все більше уваги. Зростаючий інтерес до них викликаний екологічними міркуваннями, з одного боку, і обмеженістю традиційних земних ресурсів - з іншого. Особливе місце серед альтернативних і поновлюваних джерел енергії займають фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії.

Створення і властивості фоточутливих гетероструктур n-cds/p-cdte

This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated. Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить.

Синтез плівок цинк сульфіду (ZnS) методом хімічного поверхневого осадження

CdS thin films were obtained from aqueous solution of zinc sulphate salt on glass substrates by chemical surface deposition (CSD) method. The optical absorption spectra, surface morphology and degree of crystallinity obtained ZnS films by terms of conditions were studied.
Синтезовано плівки ZnS методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) з водного розчину солі цинк сульфату на скляні підкладки. Досліджено оптичні властивості, морфологію поверхні, ступінь кристалічності плівок ZnS в залежності від умов осадження.

 

Вплив умов отримання плівок CdS AND CdSe на їх структурні та оптичні властивості

Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст іонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.

Моделювання і оптимізація умов хімічного поверхневого осадження (хпо) напівпровідникових тонких плівок cds та cdse

Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.