Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.
[1] Davydov S., Lebedev A., Savkyna N. et al.: Physica i Technika Poluprovodnikov, 2004, 38, 153.
[2] Kirsanov A., Markov V. and Maskaeva L.: Vestnik YUrGU. Seriya "Khimiya", 2013, 5, 35.
[3] Shapoval P., Guminilovych R., Yatchyshyn I. et al.:Pat. UA 77016, Publ. Jan. 25, 2013.
[4] http://www.intechopen.com/books/solar-cells-thin-film-technologies/chemi....
[5] Chopra К. and Das S.: Tonkoplenochnye Solnechnye Elementy. Мir, Мoskwa 1986.
[6] Oladeji I. and Chow L.: J. Electrochem. Soc., 1997, 144, 2342.
[7] Raevskaya A., Stroyuk A. and Kuchmiy S.: J. Colloid & Interface Sci., 2006, 302, 133.
[8] Singh S., Rath M. and Sarkar S.: J. Phys. Chem. A, 2011, 115, 13251.
[9] McCandless B.and Shafarman W.: 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion, Japan, Osaka 2003, 562.