Мікрокристали InSb для сенсорної електроніки
Досліджено фізичні властивості низькорозмірних структур, що орієнтовані на створення нових функціональних матеріалів з унікальними властивостями. Зокрема, розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 ×1017 см-3.