арсенід галію

Peculiarities of low-temperature gallium arsenide crystallization under varying cooling rates

The parameters of GaAs epitaxial layers grown by the low-temperature LPE method in the temperature range of 600–500 °C under varying cooling rates and different degrees of supercooling (5 °C, 10 °C, and 15 °C) of the gallium solution-melt were calculated. To achieve maximum cooling rates, a method involving the introduction of a cold body above the graphite cassette was used to cool the substrate–melt interface, enabling a change in the cooling rate from 5 °C/min to 14 °C/min within 230 seconds.

Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем

Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si).