напівпровідник

На прикладі напівпровідникових кристалів Ge, Si, PbTe, PbS, InSb з різними рівнями легування та різними типами провідності проведено оптимізацію геометрії п’єзорезистивного ефекту, а саме визначено такі напрямки вимірювання напруги та прикладання одновісного тиску, які забезпечують максимально досяжне значення ефекту. Оптимізація базується на підході, що використовує побудову та аналіз екстремальних поверхонь, які представляють усі можливі максимуми цільової функції (величини ефекту) при різних просторових орієнтаціях взаємодіючих факторів.

Розглянуто комплекс технолого-метрологічних досліджень щодо розробки методів посадки і закріплення ниткоподібних монокристалів на різних матеріалах підкладок (пружних елементів). Показано шляхи уникнення неконтрольованих спотворень вихідної бездефектної структури монокристала, які можуть виникати у вузлах його кріплення і знижувати добротність коливань резонатора, яка є основною характеристикою якості тензоперетворювача.