електронна структура

Представлено результати комплексного дослідження напівпровідникового термометричного матеріалу TiСo1-xMnxSb, х=0.01–0.10, для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Мікрозондовий аналіз концентрації атомів на поверхні зразків TiСo1-xMnxSb встановив їхню відповідність вихідним складам шихти, а рентгенівський фазовий аналіз показав відсутність на їхніх дифрактограмах слідів сторонніх фаз.

Представлено другу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Проведено моделювання термодинамічних, електрокінетичних, енергетичних та структурних характеристик напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для різних варіантів просторового розташування атомів.

Подано першу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Досліджено кінетичні, енергетичні та магнітні характеристики напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,005–0,15. Виявлено механізми одночасного генерування у напівпровіднику структурних дефектів акцепторної та донорної природи.

Виконано  математичне  моделювання  та  експериментальні  вимірювання  кінетичних  та  енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур  80–400  К.  Попередні  дослідження  електрофізичних,  енергетичних  та  структурних  властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що  вони  володіють  стабільними  та  відтворюваними  характеристиками  у  температурному  діапазоні  4,2–1000  К.

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Zr1-xCexNiSn у діапазонах: T = 80÷400 K, x=0.01÷0.10 і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Zr1-xCexNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. 

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn у діапазонах T = 80÷400 K, x=0÷0.10 за напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Hf1-xErxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.