resistivity

ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ Ti1-xScxCoSb. МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК

Представлено другу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Проведено моделювання термодинамічних, електрокінетичних, енергетичних та структурних характеристик напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для різних варіантів просторового розташування атомів.

ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ Ti1-xScxCoSb. КІНЕТИЧНІ, ЕНЕРГЕТИЧНІ ТА МАГНІТНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Подано першу частину комплексного дослідження термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb для виготовлення чутливих елементів термоелектричних та електрорезистивних термоперетворювачів. Досліджено кінетичні, енергетичні та магнітні характеристики напівпровідникового термометричного матеріалу Ti1-xScxCoSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,005–0,15. Виявлено механізми одночасного генерування у напівпровіднику структурних дефектів акцепторної та донорної природи.

ДОСЛІДЖЕННЯ КІНЕТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЧУТЛИВИХ ЕЛЕМЕНТІВ ТЕРМОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ Ti1-xMoxCoSb

Виконано  математичне  моделювання  та  експериментальні  вимірювання  кінетичних  та  енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур  80–400  К.  Попередні  дослідження  електрофізичних,  енергетичних  та  структурних  властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що  вони  володіють  стабільними  та  відтворюваними  характеристиками  у  температурному  діапазоні  4,2–1000  К.

Дослідження термометричного матеріалу Zr1-xCeNiSn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Zr1-xCexNiSn у діапазонах: T = 80÷400 K, x=0.01÷0.10 і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Zr1-xCexNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. 

Дослідження термометричного матеріалу Hf Ni1-x CO x Sn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу HfNi1-xCoxSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Co » 9,5×1019 NA см-3 ( x = 0,005 )÷ 5,7 ×1021 см-3 ( x = 0,30 ) і напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики HfNi1-xCoxSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.

Дослідження термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn

Досліджено енергетичні, кінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Hf1-xErxNiSn у діапазонах T = 80÷400 K, x=0÷0.10 за напруженості магнітного поля H £10 кГс. Показано, що характеристики Hf1-xErxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.