Among the semiconductors in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium arsenide circuits because of the high charge carrier mobility in GaAs with a frequency range of operation of reach for chips based on silicon (Si).
1. Новосядлий С. П. Субнаномікронна технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010. – 456 с. 2. Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням [Текст] / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат, В. М. Варварук // Східно-Європейський журнал передових технологій – 2013 – № 4 (5) 64. – С. 1–6. 3. Новосядлий С. П. Моделі транзисторів у субмікронній технології ВІС. [Текст] / С. П. Новосядлий // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002 – № 3 (4) – С. 710–717. 4. Новосядлий С. П. Констукторсько-технологічні особливості формування транзисторних структур аналогово-цифрової схемотехніки [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, В. П. Перегінський // Фізика і хімія твердого тіла – 2009. – № 4. – Т. 10 – С. 957–970. 5. Ди Лоренцо А. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления [Текст] / Под ред. А. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола: Пер. с англ. под ред. Г. В. Петрова. – М.: Радио и связь, 1988. – 489 с. 6. Новосядлий С. П. Мезоепіпланарна технологія як основа реалізації субмікронних суміщених Bi-R-D-МОН-структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Бережанський. Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2007 – № 1 (25) – С. 40–45.