рухливість

Мікрокристали InSb для сенсорної електроніки

Досліджено фізичні властивості  низькорозмірних структур, що орієнтовані  на створення нових функціональних матеріалів з унікальними властивостями. Зокрема, розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в  n-InSb з концентрацією дефектів 3 ×1017 см-3.

Бінарні відношення обмежень рухливості – основа математичного опису складальних виробів

У статті запропоновано методологію математичного опису взаємодії елементів складальних одиниць через систему бінарних відношень обмежень рухливості. Показано, що такі відношення слід визначати для пар деталей для умов початкового положення, можливого переміщення з фіксацією умови забезпечення цілісності.